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2009 年 3 月 24 日 (火) STN 関連
CAplus/CA ファイル,REGISTRY ファイル - 新規の CAS ロール 「NANO」 が追加されました

CAplus/CA ファイルは,世界中の科学技術分野の学術論文,単行本および 51 ヶ国 3 国際機関の特許を収録する文献データベースです.

このたび,当ファイルに新しい CAS ロールとして 「NANO」 が追加されました.NANO はスーパーロールです.ただし,下位の特定ロールはありません.

NANO (Nanomaterial:ナノ材料) は以下の付与基準に従い,CAS 登録番号や化合物クラス用語に付与されます.

この強化によって,目的物質がナノ材料として研究されている文献を的確に検索することができるようになりました.

■ 付与基準

  • 文献中で 0.05-100 nm の範囲で記述されている物質.
  • 具体的なサイズの記述はないが,ナノスケールまたはナノ形態のように記述されている物質.

■ 対象レコード

2009 年 1 月以降のレコードに索引されます.
■ 検索例

=> FILE REGISTRY

=> S 106312-00-9
L1           1 106312-00-9
                 (106312-00-9/RN)

=> FILE CAPLUS

=> S L1/NANO  <-- 106312-00-9 がナノ材料として研究されている文献に限定
L2           4 L1/NANO
                 (L1 (L) NANO/RL)

=> D BIB ABS HITIND
   
L2   ANSWER 1 OF 4  CAPLUS  COPYRIGHT 2009 ACS on STN 
AN   2009:267377  CAPLUS
DN   150:271639
TI   Semiconductor optical devices with buried mesa structures and suppressed
     carrier leakage at high temperature
TIJP 半導体光素子 [原題]
IN   Kato, Takashi
PA   Sumitomo Electric Industries, Ltd., Japan
SO   Japan Kokai Tokkyo Koho, 7pp.
     CODEN: JKXXAF
DT   Patent
LA   Japanese
FAN.CNT 1
     PATENT NO.          KIND   DATE        APPLICATION NO.        DATE
     ---------------     ----   --------    --------------------   --------
PI   JP 2009049199        A     20090305    JP 2007-213950         20070820
PRAI JP 2007-213950             20070820     
AB   The devices, e.g., semiconductor lasers, include first buried layers
     having first conductivity type and formed on lateral sides of active layers of
     semiconductor mesa structures, second buried layers having second conductivity
     type and formed on the first buried layers, and third buried layers
     between the first buried layers and the active layers, wherein band gap
     energy of the third buried layers is higher than that of the first buried
     layers.  Preferably, the third buried layers comprise GaInP and have
     thickness 5-20 nm.
CC   73-10 (Optical, Electron, and Mass Spectroscopy and Other Related
     Properties)
IT   106312-00-9, Gallium indium phosphide
     RL: NANO (Nanomaterial); TEM (Technical or engineered material
     use); USES (Uses)
        (nanosize buried layer; semiconductor optical devices with buried mesa
        structures and suppressed carrier leakage at high temperature)
■ REGISTRY ファイル

REGISTRY ファイルにも RL 関連フィールドに CAS ロール (スーパーロールのみ) が収録されています.
この度の強化に伴い REGISTRY ファイルにも新しい CAS ロールである 「NANO」 が収録されるようになりました.


【参考 : CAS ロールとは】

CAS ロールとは,索引された化学物質が文献中でどのような役割 (Role:ロール) を果たしているかを示すコードです.
CAplus/CA ファイルの IT フィールドにある物質の統制語に付与されています.
当ファイルは物質検索機能が優れていますが,取り分け CAS ロールを利用すると,物質に関する文献を役割に限定して検索することができます.

CAS ロールには「特定ロール」と上位概念である「スーパーロール」の 2 種類があります.
「NANO」を含めたスーパーロールが CAS 登録番号に付与されると,対応する REGISTRY のレコードにもスーパーロールの情報が収録されます.
これは IDERL 表示形式や FIDE 表示形式でご確認いただけます.

CAS ロールを用いた検索方法については,こちらをご参照ください.

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